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  Solitron Devices 2N3902和2N5157 NPN型功率晶體管 2025-04-01 09:12:23

  2N3902和2N5157是Solitron Devices生產(chǎn)的NPN功率晶體管，采用TO-3封裝，符合軍用標(biāo)準(zhǔn)MIL-PRF-19500/371。2N3902的VCEO為400V/3.5A，2N5157達(dá)500V/3.5A，均具備5W（25°C）至100W（75°C）的功耗能力，特性包括低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)和高截止電壓。適用于高壓逆變器、音頻放大器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)高可靠性場(chǎng)景，衍生型號(hào)含JAN、JANTX、JANTXV等軍用級(jí)版本。

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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時(shí)連續(xù)漏極電流達(dá)3.5A（100°C時(shí)為2.25A），最大功耗15W。其導(dǎo)通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時(shí)），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動(dòng)態(tài)特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關(guān)延遲15-45ns，適用于高頻開關(guān)場(chǎng)景。該器件特別適合電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統(tǒng)，兼具高效能和快速響應(yīng)特性。