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安森美NXH020F120MNF1低熱阻SiC MOSFET功率模塊

發布時間:2025-10-30 09:26:33     瀏覽:119

  安森美(onsemi)的NXH020F120MNF1是一款 M1 SiC MOSFET 功率模塊,其中包含一個 20 mohm/1200V SiC MOSFET 全橋和一個 F1 模塊中的 NTC 熱敏電阻。NXH020F120MNF1 的推薦柵極電壓為 18V – 20V,具有低熱阻的 4-PACK 全橋拓撲結構,以及帶或不帶預涂層熱界面材料 (TIM) 的選項,支持壓接引腳,是一種無鉛、無鹵化物的器件,符合 RoHS 標準。

  NXH020F120MNF1 提高了 RDS(開)在更高的電壓下,提高效率或功率密度,是高可靠性熱接口的靈活解決方案,可廣泛應用于太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電動汽車充電站、工業電源、AC-DC轉換、DC-AC轉換、DC-DC轉換。常見的終端產品包括電動汽車充電器、儲能系統(ESS)、三相太陽能逆變器、不間斷電源等。

安森美NXH020F120MNF1SiC MOSFET功率模塊

  性能對比:


SiCNXH020F120MNF1傳統硅基IGBT
耐壓1200V600~1200V
導通損耗超低(20mΩ @25°C)較高(50~100mΩ)
開關速度極快(ns級開關)較慢(μs級開關)
高溫性能支持175°C結溫通常限制在150°C
系統效率更高(>98%)一般(95~97%)

深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品,歡迎咨詢了解。

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